退火爐是在半導體器件制造中使用的一種工藝，其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的。可以加熱晶片以激活摻雜劑，將薄膜轉換成薄膜或將薄膜轉換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態，修復注入的損傷，移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。

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優點
1、使用方便，習慣生產環境；
2、爐膛內升溫敏捷且各段溫度均勻；
3、爐體大修期確保五年以上，且爐門、燒嘴等易損部件維修方便。
缺點
1、設備耗油量大，效率低，環境污染嚴重；
2、由推鋼軌道等引起的毛病多，維修困難，影響了生產；
3、自動化控制程度低，廢品率高，一般在12%擺布。